SK하이닉스는 업계 최초로 128단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 방식의 4D 낸드플래시를 개발, 양산에 들어간다고 26일 밝혔다. 이는 지난해 10월 96단 4D 낸드 개발 이후8개월만의 성공이다.

SK하이닉스가 이번에 양산하는 128단 낸드는 업계 최고 적층을 구현한 제품이다. 1Tb는 한 개의 칩에 3비트를 저장하는 낸드 셀(Cell) 3600억개 이상이 집적된 것이다. SK하이닉스는 이를 위해 자체 개발한 4D 낸드 기술에 ▲초균일 수직 식각 기술 ▲고신뢰성 다층 박막 셀 형성 기술 ▲초고속 저전력 회로 설계 등 혁신적인 기술을 적용했다고 설명했다.

그동안 낸드플래시 업체들은 집적도가 96단인 QLC(Quadruple Level Cell) 1Tb급 TLC 낸드를 생산해 왔으나, SK하이닉스는 이번에 주력 제품인 TLC로는 업계 최초로 128단을 상용화했다. SK하이닉스 4D 낸드 최대 장점인 작은 칩사이즈 특성을 활용했기 때문에 초고용량 낸드 구현이 가능하다.

4D 낸드는 지난해 10월 SK하이닉스가 세계 최초로 개발한 CTF(Charge Trap Flash)와 PUC(Peri Under Cell)를 결합한 혁신 제품이다. 기존 3D CTF 기술과 셀 밑에 주변부 회로를 적층한 PUC 기술을 결합한 것으로, 아파트 옥외주차장을 지하주차장으로 구조 변경해 공간효율을 극대화한 것에 비유할 수 있다.

◇ 4D 플랫폼 쓰고도 생산성은 40%, 투자효율 60% 향상돼

이번에 개발한 128단 1Tb 4D 낸드는 웨이퍼당 비트 생산성이 기존 96단 4D 낸드 대비 40% 높아였다. 또한 같은 제품에 PUC를 적용하지 않은 경우와 비교해도 비트 생산성은 15% 이상 높다.

업계는 낸드 기술이 갈수록 복잡해지고 개발 난이도도 높아지고 있으며 생산 공정수도 증가하고 있는 상황에서, 동일한 4D 플랫폼에서 공정 최적화를 통해 96단 대비 셀 32단을 추가 적층하면서도 전체 공정수를 줄인 것은 혁신적인 성과라는 평가다. 이를 통해 128단 낸드로의 전환 투자비용을 이전 세대에 비해 60% 절감할 수 있다.

이처럼 생산성과 투자효율이 높아지고 개발기간이 단축된 128단 4D 낸드는 SK하이닉스 낸드 사업의 근원적 경쟁력을 확보하게 한 것으로 평가되고 있다.

◇ 초고속 고용량 모바일용 UFS와 기업용 SSD도 내년 상반기 출시

SK하이닉스는 이번 양산을 시작한 128단 4D 낸드플래시를 하반기부터 판매하고 다양한 솔루션 제품도 연이어 출시할 계획이다.

이 제품은 한 개의 칩 내부에 플레인(Plane) 4개를 배치한 구조로 데이터 전송속도1400Mbps를 저전압 1.2V로 구현하여 고성능 저전력 모바일 솔루션 및 기업용 SSD의 구현이 가능하다.

내년 상반기에는 차세대 UFS 3.1 제품을 개발해 스마트폰 주요 고객의 5G 스마트폰 등 플래그십 모델에 공급할 예정이다. 현재 스마트폰 업계 최대 용량인 1TB 제품을 512Gb 낸드로 구현할 때 보다 낸드 개수가 반으로 줄고, 소비전력은 20% 낮아진다. 패키지(Package) 두께도 1mm로 얇아진 모바일 솔루션을 고객들에게 제공할 수 있다. 128단 1Tb 4D 낸드 16개를 하나의 반도체 패키지로 구성하면 업계 최고인 2TB 저장용량을 갖는 5G 스마트폰 구현도 가능해진다.

또한, 자체 컨트롤러와 소프트웨어가 탑재된 소비자용 2TB SSD를 내년 상반기에 양산할 예정이다. 이전 세대 대비 20% 향상된 전력 효율을 기반으로 AI와 빅데이터 환경에 최적화된 첨단 클라우드 데이터센터향 16TB와 32TB NVMe SSD도 내년에 출시할 계획이다.

오종훈 SK하이닉스 GSM담당 부사장은 “128단 4D 낸드로 SK하이닉스는 낸드 사업의 근원적 경쟁력을 확보하게 됐다”면서 “업계 최고 적층, 최고 용량을 구현한 이 제품으로 고객들이 원하는 다양한 솔루션을 적기에 제공하게 됐다”고 말했다.

SK하이닉스는 128단 4D 낸드와 동일한 플랫폼으로 차세대 176단 4D 낸드 제품도 개발 중이며 기술 우위를 통한 낸드 사업 경쟁력을 지속적으로 강화할 계획이다.

조항준 기자 jhj@nextdaily.co.kr